en

Сотрудник подразделения

Публикации

  1. 19Шамова А.А., Поляков Д.С., Шандыбина Г.Д. Универсальная модель 3D накопительного лазерного нагрева неорганических материалов и биологических тканей // VIII Международная конференция "Лазерные, плазменные исследования и технологии" ЛАПЛАЗ-2022 (Москва, 22-25марта 2022г.): сборник научных трудов конференции - 2022. - С. 87
    подробнее >>
  2. 18Shandybina G.D., Shamova A.A., Belikov A.V., Polyakov D.S. Analysis of gas bubble formation on light-absorbing microinclusion in liquid during laser irradiation: experimental and theoretical investigation // Optical Engineering - 2021, Vol. 60, No. 1, pp. 016103 [IF: 1.082, SJR: 0.357]
    подробнее >>
  3. 17Kuzmin E.V., Polyakov D.S., Samokhvalov A.A., Shandybina G. Cylindrical and plane surface electromagnetic waves in laser technology of silicon surface texturing with a double femtosecond pulse // Optical and Quantum Electronics - 2019, Vol. 51, No. 9, pp. 317 [IF: 1.055, SJR: 0.396]
    подробнее >>
  4. 16Yakovlev E.B., Shandybina G.D., Shamova A.A. Modelling of the heat accumulation process during short and ultrashort pulsed laser irradiation of bone tissue // Biomedical Optics Express - 2019, Vol. 10, No. 6, pp. 3030-3040 [IF: 3.337, SJR: 1.362]
    подробнее >>
  5. 15Кузьмин Е.В., Поляков Д.С., Самохвалов А.А., Шандыбина Г.Д. Микроструктурирование поверхности кремния при однократном облучении сдвоенным фемтосекундным лазерным импульсом [Silicon surface microstructuring by single-exposure femtosecond double laser pulse] // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics] - 2019. - Т. 19. - № 3(121). - С. 417-425
    подробнее >>
  6. 14Беликов А.В., Шамова А.А., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б. Нано- и фемтосекундное высокочастотное многоимпульсное воздействие лазерного излучения на обезвоженную костную ткань, роль накопленного тепла и модель остывания // Квантовая электроника - 2018. - Т. 48. - № 8. - С. 755-760 [IF: 0.959]
    подробнее >>
  7. 13Комлев А.Е., Бабинова Р.В., Дюкин Р.В., Кузьмин Е.В., Шандыбина Г.Д. Возможности расширения диапазона измерений метода контроля толщины осаждаемых покрытий, основанного на эффекте поверхностного плазмонного резонанса // Вакуумная техника и технологии - 2018. - Т. 28. - № 4. - С. 36-40
  8. 12Шамова А.А., Яковлев Е.Б., Шандыбина Г.Д. Модель остывания и эффект накопления тепла при нано- и фемтосекундном лазерном воздействии на обезвоженную костную ткань // Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики–2018» (Санкт-Петербург, 15-19октября 2018г.) - 2018. - С. 450-451
    подробнее >>
  9. 11Guk I.V., Kuz’Min E.V., Shandybina G.D., Yakovlev E.B., Dyukin R.V., Kulagin V.S. Influence of multi-pulse action on the evolution of silicon microrelief under femtosecond laser irradiation // Journal of Optical Technology - 2017, Vol. 84, No. 7, pp. 462-466 [IF: 0.299, SJR: 0.219]
    подробнее >>
  10. 10Shamova A., Shandybina G., Yakovlev E., Georgieva A. Mutual influence of Auger and non-radiative recombination processes under silicon femtosecond laser irradiation // Optical and Quantum Electronics - 2017, Vol. 49, No. 2, pp. 74 [IF: 1.055, SJR: 0.396]
    подробнее >>

    The results of theoretical study of the contribution of recombination processes in additional heating of the surface of monocrystalline silicon during multipulse femtosecond laser processing are presented to discussion. The numerical evaluations are made in regimes of the laser radiation below the ablation threshold, when the microgeometry of the surface is formed due to the processes of self-organization. The influence of Auger recombination processes on the photoexcitation of the semiconductor during the pulse and relaxation after the pulse is studied in detail. It is shown that the additional heating of the surface due to non-radiative recombination is extremely small at pulse repetition rate 10 Hz–1 MHz. Mutual influence of recombination processes of both types is shown.

  11. 9Гук И.В., Кузьмин Е.В., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б., Дюкин Р.В., Кулагин В.С. Влияние многоимпульсного воздействия на эволюцию микрорельефа кремния при лазерном фемтосекундном облучении // Оптический журнал - 2017. - Т. 84. - № 7. - С. 41-46
    подробнее >>
  12. 8Кузьмин Е.В., Дюкин Р.В., Шандыбина Г.Д. Сенсор поверхностного плазмонного резонанса для экспресс-анализа // Известия высших учебных заведений. Приборостроение - 2017. - Т. 60. - № 4. - С. 375-380
    подробнее >>
  13. 7Guk I.V., Shandybina G.D., Yakovlev E.B. Role of the Heat Accumulation Effect in the Multipulse Modes of the Femtosecond Laser Microstructuring of Silicon // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 694-698 [IF: 0.602, SJR: 0.287]
    подробнее >>
  14. 6Guk I.V., Shandybina G.D., Yakovlev E.B., Shamova A.A. Role of recombination processes during multipulse femtosecond microstructuring of silicon surface // Optical and Quantum Electronics - 2016, Vol. 48, No. 2, pp. 153 [IF: 1.055, SJR: 0.396]
    подробнее >>
  15. 5Гук И.В., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б. Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 706-710 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  16. 4Guk I., Shandybina G., Yakovlev E. Influence of accumulation effects on heating of silicon surface by femtosecond laser pulses // Applied Surface Science - 2015, Vol. 353, pp. 851-855 [IF: 3.387, SJR: 1.295]
    подробнее >>
  17. 3Guk I.V., Shandybina G.D., Yakovlev E.B., Golovan L.A. The contribution of the polariton mechanism of the surface microstructuring of silicon by picosecond laser pulses // Journal of Optical Technology - 2014, Vol. 81, No. 5, pp. 275-279 [IF: 0.299, SJR: 0.219]
    подробнее >>
  18. 2
    подробнее >>
  19. 1Гук И.В., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б., Головань Л.А. Вклад поляритонного механизма микроструктурирования поверхности кремния пикосекундными лазерными импульсами // Оптический журнал - 2014. - Т. 81. - № 5. - С. 62-67
    подробнее >>